MOS（Metal Oxide Semiconductor…金属と酸化皮膜絶縁体と半導体の組み合わせ）はMOSFET（MOS Field Effect Transistor…MOS形電界効果トランジスタ）に応用されています。

MOSFETで構成される回路技術としてCMOS（Complementary MOS…相補対称型）が有名で、現在ほとんどのデジタル集積回路と、一部のアナログ集積回路に応用されています。
パソコンもスマホも中身はCMOSだらけです。

MOSFETとバイポーラトランジスタを組み合わせたIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor…絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）なんてのも作り出されて、IH調理器などに応用されています。

ここまでがウンチクです。

これらのMOSを応用した部品やそれらで構成される回路は、静電気に弱いとされています。
部品も基板も特殊な包装材で包まれていたり、「静電気注意」とか書かれていたりします。

なぜ弱いかと言うと、MOSのOの部分（酸化皮膜絶縁体）がとても薄く、静電気の放電で穴が空いてしまいやすいからだとされています。空いた穴を見たわけではないのですが。
穴が空いた酸化皮膜は、そこから電気を通してしまうのでもはや絶縁体ではなく、この状態が壊れた…静電破壊したと言われます。

このあたりは電気・電子に関わった経験のある方は経験的にでも理解されていると思います。
ではMOS以外の半導体、普通のダイオードやトランジスタはどうなのか？
特殊な包装材も、「静電気注意」も見た事が無いし、そもそも静電破壊したそれらに遭遇した事がありません。

静電破壊しないのかな？それともしづらいのかな？そしてそれはなぜなんだろう！？
という今回のお題でございます。

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